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一种半导体二极管激光器包含一具有ＡｌＧａＩｎＡｓ构成的多个可压缩形变的量子阱（５４）的激活层（１２），它们夹心于与ＩｎＰ晶格匹配的ＡｌＧａＩｎＡｓ构成的阻挡层（５２）之间，并具有取决于量子阱成分的精确定义的带隙。该激活层由相反掺杂的包层（４...
该专利属于特尔科迪亚技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过特尔科迪亚技术股份有限公司授权不得商用。

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