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本实用新型涉及光电传感器领域，具体涉及一种黑硅基紫外光电传感器，包括硅衬底、黑硅结构、氧化铝薄膜、P型掺杂区、N型掺杂区、电极和欧姆接触区，所述硅衬底为N型高阻硅片，与所述P型掺杂区和N型掺杂区共同构成PIN型光电探测器结构，所述黑硅结构由...
该专利属于山西广维海事科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西广维海事科技有限公司授权不得商用。

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