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描述了制备ＩｎＡｌＧａＮ光发射器件的设备和技术，其方法是由蓝宝石生长衬底去除光发射层。在数个实施方案中，描述了制备垂直ＩｎＡｌＧａＮ光发射二极管结构的技术，这种结构可以提高性能和或降低成本。此外，还利用了金属键合、衬底剥离、和新颖的ＲＩＥ器...
该专利属于惠普公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠普公司授权不得商用。

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