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公开了有效利用两个ｎ型Ⅲ－氮化物半导体超晶体之间的“ｐ－ｎ结”的基于Ⅲ－氮化物半导体的单极发光器件（ＵＬＥＤ）的制造方法。这样的器件在正向偏置时和现有发光器件一样地工作，但是其发射不是因电子和空穴的再合并引起的，而是因电子从浅子带超晶格向深...
该专利属于华上光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华上光电股份有限公司授权不得商用。

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