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本发明提出了一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法。所述离子注入增强多层薄膜硅化物方法是穿过半导体硅衬底上已沉积形成的单层或多层金属薄膜，对所述单层或多层金属薄膜进行氩离子轰击，从而穿过所述单层或多层金属薄膜在欧姆接触区表面上形成硅化物层。具体...
该专利属于弘大芯源（深圳）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过弘大芯源（深圳）半导体有限公司授权不得商用。

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