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半导体激光元件及其制造方法。该元件至少在衬底上包括第一导电类型的第一包层、有源层、第二导电类型的第二包层、具有向谐振腔延伸的条形缺陷部分的电流阻挡层、掩埋在条形缺陷部分内的第二导电类型的第三包层、以及设置在第三包层上的第二导电类型的保护层。...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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