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本发明涉及一种具有一欧姆接触的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一底材，一ｐ型氮化镓层设置在该底材上，和一ｐ型氮化镓铟（Ｉｎ＃－［ｘ］Ｇａ＃－［１－ｘ］Ｎ）层设置在该ｐ型氮化镓层上，以在半导体和金属电极间形成一具有低欧姆接触电阻的良好...
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