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一种磊晶层的成长方法。首先，提供一基底；接着，形成一缓冲层于基底表面；实行一氢气处理程序；最后，形成一磊晶层于冲层表面。在实行氢气处理程序之前，包括一去除基底的程序。通过在形成束缚层之前，先利用氢气处理缓冲层表面，以避免缓冲层受侵蚀，并可清...
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