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本发明公开了一种带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法；外延片结构包括从下往上依次设置的蓝宝石衬底上生长的外延层、AlGaN缓冲层、非掺杂GaN层、AlGaN缺陷阻挡层、n型GaN层、高温InGaN/GaN应力释放层、低温...
该专利属于南通同方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司授权不得商用。

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