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本发明公开一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；制作不同深度与宽度P阱，形成倒三角P阱；制作源端和体接触端；进行低温湿氧氧化SiO2生长；进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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