温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种外延结构、制作方法及半导体器件，其具异质衬底、依次形成于异质衬底上方的第一氮化铝层、由氮化铝构成且具有点缺陷的第一调控层、第二氮化铝层；首先将异质衬底置于MOCVD反应室中，生长第一氮化铝层，其次生长第一调控层，生长过程中通...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。