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一种氮化物器件，至少包括：　　　　一个基板；　　　　一个生长在基板上的ｎ－型氮化镓注入层；　　　　一个ｐ－型氮化镓注入层；　　　　一个夹在ｎ－型氮化镓注入层和ｐ－型氮化镓注入层之间的铟镓氮／氮化镓（ＩｎＧａＮ／ＧａＮ）多量子阱有源层；　　　...
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