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半导体激光二极管的MBE生长制造技术
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文档序号:3314314
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一种以(Al,Ga,In)N材料系统制造连续波半导体激光二极管的方法包括:依次生长第一覆层区域(4),第一光制导区(5),有源区域(6),第二光制导区(7)和一第二覆层(8)。该第一覆层区域(4),该第一光制导区(5),该有源区域(6),该...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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