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用液相外延法生长ＺｎＯ蓝紫光半导体，该方法包括ＺｎＯ－ｎ型半导体单晶的生长和ＺｎＯ－ｐ型半导体单晶的生长及晶体加工三部分，其特征为：　　　　（１）采用熔盐法生长ＺｎＯ－ｎ型半导体单晶；　　　　（２）采用液相外延法生长ＺｎＯ－ｐ型半导体单晶；...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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