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本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。在所述半导体激光器件中，第一覆层（２）、量子阱有源层（３）、第二覆层（４）以及蚀刻停止层（５）以该顺序依次堆叠在衬底（１）上。在蚀刻停止层（５）上设置由第三覆层（１４）和接触层（６）组成的条状脊形...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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