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一种半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置，其在Ｎ型ＧａＡｓ衬底（１）上形成有源层（６）上，在有源层（６）上形成Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ外敷层（８）。另外，Ｐ型ＡｌＧａＩＮＰ外敷层（８）上形成的脊部的侧方上形成具有与Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ外敷层（...
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