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本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的ＧａＮ基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层ＧａＮ基外延膜，ＧａＮ基外延层是在蓝宝石衬底上用ＨＶＰＥ方法生长的厚膜或用ＭＯＣＶＤ方法生长的薄层外延膜，将Ｇ...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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