温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种SDRAM私有数据的读写方法，包括以下步骤：（1）根据需求改造MR，首先选择可读可写的MR，优选有取值范围的；（2）根据MR寄存器特性设置相应的读写流程，操作流程的基本包格式如下：所有的读写操作均进行三次写操作：首先确定操作...
该专利属于超存极光（上海）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过超存极光（上海）半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。