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本发明提供了一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有ｎ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和ｐ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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