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本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，ｎ－ＧａＡｓ衬底１的上边，顺序地将ｎ－ＡｌＧａＩｎＰ包层（２）、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰＭＱＷ有源层（３）...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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