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本发明提供一种高亮度ＧａＮ基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度ＬＥＤ结构，具体结构是采用纳米压制技术在ＬＥＤ的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在ＬＥＤ表面形成有利于有源区发射光逸出的微结...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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