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本发明涉及一种基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料及其制备方法，该材料包括衬底层，以及由下至上依次设于衬底层上的低温缓冲层、组分渐变Si1‑
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该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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