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本发明公开了一种具有对于ｎ电极的欧姆接触特性改善的氮化物基半导体发光装置及其制造方法。所述氮化物基半导体发光装置包括ｎ电极、ｐ电极、和在ｎ和ｐ电极之间形成的ｎ型化合物半导体层、有源层、和ｐ型半导体层。所述ｎ电极包括由选自Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃ...
该专利属于三星ＬＥＤ株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星ＬＥＤ株式会社授权不得商用。

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