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本发明提供了一种半导体结构。通过在栅极结构的侧边设置底部依次降低的至少两个隔离侧墙，并使接触插塞的底部进一步降低而延伸至衬底中，进而使得金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在金属硅化...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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