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本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的ｎ型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第１半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第１半导体层的背面上形成ｎ侧电极，用连接法安装氮化物系...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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