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本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的铁酸...
该专利属于湖北江城实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北江城实验室授权不得商用。

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