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本发明涉及一种MOSFETs的栅氧化层陷阱表征方法，其步骤如下：1)测量转移特性提取阈值电压，在线性区测试器件噪声功率谱密度S
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该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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