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本发明提供一种氮化物类半导体元件的制造方法，其包含：在基板上形成含有Ｉｎ的剥离层的工序，在上述剥离层上形成氮化物类半导体层的工序，由上述剥离层的温度上升、产生上述剥离层分解的工序，在上述剥离层上照射激光的工序，和将上述氮化物半导体从上述基板...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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