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一种氮化镓基半导体层叠结构，包括低温沉积缓冲层和有源层。所述低温沉积缓冲层由Ⅲ族氮化物材料构成，其已在低温下生长并以生长状态包括单晶层，所述单晶层存在于与蓝宝石衬底的（０００１）（ｃ）面接触的结区域的附近。所述有源层由设置在所述低温沉积缓冲...
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