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一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法技术
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下载一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法的技术资料
文档序号:3312792
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本发明涉及一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法,属于半导体光电子材料与器件技术领域。先将宏观ZnO半导体单晶材料固定在衬底上,放入等离子体处理器的真空室,通入H↓[2]气体,调整真空室通气阀门,使真空室中的真空度保持在10~20T...
该专利属于华东师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过华东师范大学授权不得商用。
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