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本发明公开了一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法，方法包括：获取外延基片；对外延基片进行电隔离；在帽层上光刻出源、漏电极区域，利用二次外延技术和图形化刻蚀技术在源、漏电极区域生长欧姆金属形成源电极、漏电极；在源电极、漏电极和帽层上生长钝...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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