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本发明提供一种高可靠性低接触电阻型GaN基HEMT器件及其制作方法。所述方法包括在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道区、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上沉积氧化硅掩膜；在氧化硅掩膜上沉积氧化铝掩膜；在氧化铝表面光刻出源漏电极区域并刻蚀出...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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