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本发明公开了一种栅控雪崩快速闭合IGBT，自下而上依次包括：集电极金属、衬底、第一外延层、第二外延层、第三外延层、发射极金属以及栅金属；其中，第三外延层内部设有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区；第一掺杂区起始于第三外延层的上表面并向下延...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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