温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种碳化硅基半导体器件的制备方法，包括：取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；清洗碳化硅外延片，然后淀积肖特基金属，...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。