下载一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法的技术资料

文档序号:33090446

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本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域,具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法,包括支撑系统和石英安瓿瓶,石英安瓿瓶放置于支撑系统上,所述支撑系统包括外保温层,所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层...
该专利属于云南鑫耀半导体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过云南鑫耀半导体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司授权不得商用。

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