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本发明涉及一种基于拓扑磁结构的逻辑门。该逻辑门包括纳米双层赛道，纳米双层赛道包括第一赛道及第二赛道，第一赛道与第二赛道交叉连接形成交汇区域；其中，第一赛道包括第一输入端及第一输出端；第二赛道包括第二输入端；第一赛道及第二赛道用于为拓扑磁结构...
该专利属于香港中文大学（深圳）所有，仅供学习研究参考，未经过香港中文大学（深圳）授权不得商用。

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