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本发明提供一种半导体器件保护装置，包括：衬底；P阱区域，形成在衬底上，P阱区域通过在衬底上进行P型掺杂形成；N阱区域，形成在衬底上，N阱区域通过在衬底上进行N型掺杂形成；P
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该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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