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本申请实施例公开了一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构，该制作方法包括：在衬底表面依次形成N型层、发光层、P型层、过渡层以及欧姆接触层，欧姆接触层为GaP层，P型层包括P型限制层和P型窗口层，P型窗口层为Al
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该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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