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本发明公开了一种套刻标记的制备方法，属于集成电路制备工艺技术领域。它包括提供衬底，衬底上形成有金属层；图形化金属层以获得位于衬底表面的套刻标记区；形成掩模层于金属层上，掩模层上与套刻标记区相对应的位置形成有悬垂的图形窗口，且图形窗口与待制备...
该专利属于合肥本源量子计算科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥本源量子计算科技有限责任公司授权不得商用。

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