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本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器，在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶，在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖，相邻的两层保温盖之间用石英块隔...
该专利属于有研科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研科技集团有限公司授权不得商用。

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