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本发明公开了用于电子级多晶硅生产系统的在线监测痕量杂质的方法。该方法包括：在还原炉的入口侧设置第一微型反应器，第一微型反应器的原料端和还原炉的原料端分别独立地与第一三氯氢硅管线、氢气管线相连，第一微型反应器的结构与还原炉的结构相同，第一微型...
该专利属于江苏鑫华半导体材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体材料科技有限公司授权不得商用。

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