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碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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