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本发明公开一种超声换能器阵列及其制备方法，其中的超声换能器阵列自下而上依次包括：半导体衬底、第一绝缘层、孤立的岛形半导体层、第二绝缘层和金属图案化层，金属图案化层包括图案化上电极、第一焊盘和第二焊盘；相邻的岛形半导体层由隔离槽分隔，每个岛形...
该专利属于太原市华纳方盛科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过太原市华纳方盛科技有限公司授权不得商用。

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