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一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件制备技术领域，该HEMT器件中的异质结构包括沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间由上而下依次设置有半导体插入层Ⅰ和沟道控制层；沟道控制层的上方通过刻蚀形成凹栅区，凹栅区与势垒层的上表面...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司授权不得商用。

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