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一种碳化硅MOSFET驱动电路制造技术
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文档序号:32901981
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本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路,包括放大单元、驱动变压器T1、稳压管D1、二极管D2、二极管D3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和三极管U7,其中:PWM驱动信号通过放大单元和驱动变压器T1输入串联的稳压管D1、电阻...
该专利属于南京晟芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京晟芯半导体有限公司授权不得商用。
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