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本实用新型涉及一种功率半导体结构，尤其是一种屏蔽栅半导体功率器件。本实用新型的屏蔽栅半导体功率器件包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在俯视角度上，第一导电类型外延层表面设有互相平行且均匀分布的第一类沟槽...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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