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本发明公开了一种高Q值单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，具体如下：衬底上依次沉积剥离层、压电层和下电极，下电极上沉积一个或两个环形结构以及钝化层，环形结构表面沉积钝化层；下电极表面淀积包裹钝化层和环形结构的牺牲层，压电层上沉积包裹牺牲层和下电...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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