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本发明提供一种利用圆偏振激光实现半导体纳米晶中单激子增益的方法，涉及激光技术领域。该方法包括以下步骤：采用半导体纳米晶制备薄膜样品，使样品分子紧密填充且位置固定；使用紫外
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该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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