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一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法技术
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文档序号:32883383
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本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法,包括以下步骤;步骤(1)、帖感光膜曝光显影;步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶,进行干燥;步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥;步骤(4)、将产品...
该专利属于无锡天杨电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡天杨电子有限公司授权不得商用。
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