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本发明提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，在晶圆上形成多个当层图形；对晶圆上的多个当层图形进行外延生长，外延后的当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；利用视觉成像对位光刻机形成与A对准标记对应的A套刻...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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